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首页 全部分类 STGW40M120DF3 vs FGH40T120SMD-F155

STGW40M120DF3备选型号: FGH40T120SMD-F155

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 连续集电极电流
  • 高度
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STGW40M120DF3
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGW40M120DF3 IGBT Single Transistor, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    1.2kV
    1.85V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    468W
    未说明
    未说明
    STGW40
    Single
    Standard
    468W
    N-CHANNEL
    1.2kV
    80A
    355 ns
    1200V
    2.3V @ 15V, 40A
    沟渠现场停车
    125nC
    160A
    35ns/140ns
    1.5mJ (on), 2.25mJ (off)
    20V
    7V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH40T120SMD-F155
    ON Semiconductor
    IGBT 1200V 80A 555W TO247-3
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    1.2kV
    1.8V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    555W
    -
    -
    -
    Single
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    1.2kV
    80A
    65 ns
    1200V
    2.4V @ 15V, 40A
    沟渠现场停车
    370nC
    160A
    40ns/475ns
    2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
    25V
    7.5V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    2013
    yes
    555W
    40 ns
    175°C
    80A
    24.75mm
    无
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