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首页 全部分类 STGW40M120DF3 vs IRG8P50N120KDPBF

STGW40M120DF3备选型号: IRG8P50N120KDPBF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 已出版
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  • 长度
  • 宽度
  • STMicroelectronics
    STGW40M120DF3
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGW40M120DF3 IGBT Single Transistor, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    1.2kV
    1.85V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    468W
    未说明
    未说明
    STGW40
    Single
    Standard
    468W
    N-CHANNEL
    1.2kV
    80A
    355 ns
    1200V
    2.3V @ 15V, 40A
    沟渠现场停车
    125nC
    160A
    35ns/140ns
    1.5mJ (on), 2.25mJ (off)
    20V
    7V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG8P50N120KDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 80A 305W TO-247AC
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    1.2kV
    1.7V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    350W
    -
    -
    -
    Single
    Standard
    -
    -
    2V
    50A
    170 ns
    1200V
    2V @ 15V, 35A
    -
    315nC
    105A
    35ns/190ns
    2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    2014
    unknown
    20.7mm
    15.87mm
    5.31mm
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