STGW40M120DF3备选型号: IXA33IF1200HB
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 引脚数量
- 资历状况
- 功率耗散
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- 高度
- 长度
- 宽度
- STMICROELECTRONICS STGW40M120DF3 IGBT Single Transistor, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 PinsACTIVE (Last Updated: 8 months ago)30 Weeks通孔通孔TO-247-3338.000013g1.2kV1.85V-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99468W未说明未说明STGW40SingleStandard468WN-CHANNEL1.2kV80A355 ns1200V2.3V @ 15V, 40A沟渠现场停车125nC160A35ns/140ns1.5mJ (on), 2.25mJ (off)20V7V无SVHCROHS3 Compliant无铅-----------------
- IXYS SEMICONDUCTOR IXA33IF1200HB IGBT Single Transistor, 58 A, 2.1 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins--通孔通孔TO-247-33-1.2kV1.8V-40°C~150°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99250W未说明未说明-SingleStandard-N-CHANNEL1.2kV58A350ns1200V2.1V @ 15V, 25APT76nC--2.5mJ (on), 3mJ (off)20V6.5V无SVHCROHS3 Compliant-SILICON2001e1yes3锡银铜低导通损耗3不合格250W电源控制TO-247AD110 ns350 ns21.45mm16.24mm5.3mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGWA40M120DF3 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGWA40M120DF3 IGBT Single Transistor, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins | 对比 |
![]() | IXA33IF1200HB | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IXYS SEMICONDUCTOR IXA33IF1200HB IGBT Single Transistor, 58 A, 2.1 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins | 对比 |
![]() | IRG8P50N120KDPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 80A 305W TO-247AC | 对比 |





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