STGW40M120DF3备选型号: IXA33IF1200HB

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  • 元素配置
  • 输入类型
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  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • IGBT类型
  • 闸门收费
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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
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  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值(toff)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGW40M120DF3 IGBT Single Transistor, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    1.2kV
    1.85V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    468W
    未说明
    未说明
    STGW40
    Single
    Standard
    468W
    N-CHANNEL
    1.2kV
    80A
    355 ns
    1200V
    2.3V @ 15V, 40A
    沟渠现场停车
    125nC
    160A
    35ns/140ns
    1.5mJ (on), 2.25mJ (off)
    20V
    7V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXYS SEMICONDUCTOR IXA33IF1200HB IGBT Single Transistor, 58 A, 2.1 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    1.2kV
    1.8V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    250W
    未说明
    未说明
    -
    Single
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    1.2kV
    58A
    350ns
    1200V
    2.1V @ 15V, 25A
    PT
    76nC
    -
    -
    2.5mJ (on), 3mJ (off)
    20V
    6.5V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    2001
    e1
    yes
    3
    锡银铜
    低导通损耗
    3
    不合格
    250W
    电源控制
    TO-247AD
    110 ns
    350 ns
    21.45mm
    16.24mm
    5.3mm
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