STGW40N120KD备选型号: FGH40T100SMD
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 上升时间-最大值
- 功率耗散
- JEDEC-95代码
- IGBT类型
- Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 80A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube通孔通孔TO-247-336.500007gSILICON1.2kV2.8V-55°C~125°C TJTubePowerMESH™Obsolete1 (Unlimited)3EAR99240WSTGW403SingleCOLLECTORStandard48 ns240WMOTOR CONTROLN-CHANNEL1.2kV80A84 ns1200V83 ns3.85V @ 15V, 30A564 ns126nC120A48ns/338ns3.7mJ (on), 5.7mJ (off)25V6.5V21.07mm16.02mm5.15mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----------
- IGBT Transistors 1000V 40A Field Stop Trench IGBT通孔通孔TO-247-336.39gSILICON1kV2.3V-55°C~175°C TJTube-活跃1 (Unlimited)3EAR99333W--SingleCOLLECTORStandard--电源控制N-CHANNEL1kV80A78 ns1000V76 ns2.3V @ 15V, 40A305 ns265nC120A29ns/285ns2.35mJ (on), 1.15mJ (off)20V6.5V20.82mm15.87mm4.82mm-无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)4 Weeks2012e3yesTin (Sn)8541.29.00.9564ns333WTO-247AB沟渠现场停车
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGH40T100SMD | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 1000V 40A Field Stop Trench IGBT | 对比 | |
![]() | IHW40N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 80A 429W TO247-3 | 对比 |
![]() | STGW30NC120HD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW30NC120HD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.75 V, 220 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins | 对比 |




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