STMicroelectronics STGW40N120KD
- 收藏
- 对比
STGW40N120KD
2381-STGW40N120KD
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
立即发货

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 80A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
--最小包装量--
STGW40N120KD详情
STMicroelectronics STGW40N120KD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
6.500007g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.8V
Number of Elements
1
Test Conditions
960V, 30A, 10 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
420 ns
操作温度
-55°C~125°C TJ
包装
Tube
系列
PowerMESH™
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
240W
基本部件号
STGW40
引脚数量
3
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
接通延迟时间
48 ns
功率 - 最大
240W
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
80A
反向恢复时间
84 ns
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
83 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.85V @ 15V, 30A
关断时间-标准值(toff)
564 ns
闸门收费
126nC
集极脉冲电流(Icm)
120A
Td(开/关)@25°C
48ns/338ns
开关能量
3.7mJ (on), 5.7mJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
25V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5V
高度
21.07mm
长度
16.02mm
宽度
5.15mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGW40N120KD拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics










哦! 它是空的。