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首页 全部分类 STGW40V60F vs FGH40N60SMDF

STGW40V60F备选型号: FGH40N60SMDF

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  • 接通时间
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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STGW40V60F
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 80A 283W TO247
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    600V
    2.35V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    283W
    STGW40
    Single
    283W
    Standard
    52 ns
    600V
    80A
    2.3V @ 15V, 40A
    沟渠现场停车
    226nC
    160A
    52ns/208ns
    456μJ (on), 411μJ (off)
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH40N60SMDF
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60SMDF IGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 600 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins
    -
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    600V
    1.9V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    349W
    FGH40N60
    Single
    349W
    Standard
    12 ns
    600V
    80A
    2.5V @ 15V, 40A
    场站
    119nC
    120A
    12ns/92ns
    1.3mJ (on), 260μJ (off)
    20.6mm
    15.6mm
    4.7mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    6.39g
    SILICON
    2013
    e3
    yes
    3
    8541.29.00.95
    28ns
    COLLECTOR
    电源控制
    N-CHANNEL
    90ns
    TO-247AB
    37 ns
    132 ns
    20V
    6V
    17ns
    无SVHC
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