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首页 全部分类 STGW40V60F vs STGW39NC60VD

STGW40V60F备选型号: STGW39NC60VD

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  • 引脚数量
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  • 晶体管应用
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  • 接通时间
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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STGW40V60F
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 80A 283W TO247
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    600V
    2.35V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    283W
    STGW40
    Single
    283W
    Standard
    52 ns
    600V
    80A
    2.3V @ 15V, 40A
    沟渠现场停车
    226nC
    160A
    52ns/208ns
    456μJ (on), 411μJ (off)
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW39NC60VD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGW39NC60VD IGBT Single Transistor, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    250W
    STGW39
    Single
    250W
    Standard
    33 ns
    600V
    80A
    2.4V @ 15V, 30A
    -
    126nC
    220A
    33ns/178ns
    333μJ (on), 537μJ (off)
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    SILICON
    PowerMESH™
    e3
    3
    600V
    40A
    3
    ISOLATED
    电源控制
    13ns
    600V
    N-CHANNEL
    45ns
    40A
    TO-247AC
    46 ns
    366 ns
    20V
    5.75V
    无SVHC
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