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STGW45HF60WD备选型号: STGW35NB60SD
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 系列
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 最大击穿电压
- 达到SVHC
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube通孔通孔TO-247-336.500007gSILICON600V1.9V-55°C~150°C TJTubeObsolete1 (Unlimited)3EAR99低导通损耗250WSTGW453SingleStandard30 ns250W电源控制N-CHANNEL600V70A55 ns44 ns2.5V @ 15V, 30A250 ns160nC150A30ns/145ns300μJ (on), 330μJ (off)20V5.75V24.45mm15.75mm5.15mm无ROHS3 Compliant无铅--------------- STMICROELECTRONICS STGW35NB60SD IGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins通孔通孔TO-247-33-SILICON600V1.7V-55°C~150°C TJTube活跃1 (Unlimited)3EAR99-200WSTGW353SingleStandard--MOTOR CONTROLN-CHANNEL600V70A44 ns153 ns1.7V @ 15V, 20A3600 ns83nC250A92ns/1.1μs840μJ (on), 7.4mJ (off)20V5V20.15mm15.75mm5.15mm无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)8 WeeksPowerMESH™e3Tin (Sn)600V35A200W70ns600V70ATO-247AA600V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | HGTG30N60B3D | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 60A 208W TO247 | 对比 |
| STGW30NC60WD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW30NC60WD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
 | NGTB35N60FL2WG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | ON SEMICONDUCTOR NGTB35N60FL2WGIGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
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