STMicroelectronics STGW45HF60WD
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STGW45HF60WD
2381-STGW45HF60WD
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
--最小包装量--
STGW45HF60WD详情
STMicroelectronics STGW45HF60WD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
6.500007g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.9V
Number of Elements
1
Test Conditions
400V, 30A, 6.8 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
145 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低导通损耗
最大功率耗散
250W
基本部件号
STGW45
引脚数量
3
元素配置
Single
输入类型
Standard
接通延迟时间
30 ns
功率 - 最大
250W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
70A
反向恢复时间
55 ns
接通时间
44 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 30A
关断时间-标准值(toff)
250 ns
闸门收费
160nC
集极脉冲电流(Icm)
150A
Td(开/关)@25°C
30ns/145ns
开关能量
300μJ (on), 330μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5.75V
高度
24.45mm
长度
15.75mm
宽度
5.15mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGW45HF60WD拓展信息
STMicroelectronics
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