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STGW60H65DF备选型号: NGTB60N60SWG
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- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 已出版
- 无铅代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
IGBT Transistors 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBTNRND (Last Updated: 8 months ago)32 Weeks通孔通孔TO-247-36.500007gSILICON650V2.1V-55°C~150°C TJTubee3活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)360WSTGW60R-PSFM-T3SingleStandard67 ns360W电源控制N-CHANNEL350V120A62 ns113 ns1.9V @ 15V, 60A247 ns沟渠现场停车206nC240A67ns/165ns1.5mJ (on), 1.1mJ (off)20V无ROHS3 Compliant无铅----------
ON SEMICONDUCTOR NGTB60N60SWGIGBT Single Transistor, 120 A, 2 V, 298 W, 600 V, TO-247, 3 PinsLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)6 Weeks通孔通孔TO-247-338.000013g-600V2.6V-55°C~150°C TJTubee3Obsolete1 (Unlimited)--Tin (Sn)298W--SingleStandard-298W-N-CHANNEL600V120A76 ns-2.5V @ 15V, 60A-沟渠现场停车173nC240A87ns/180ns1.41mJ (on), 600μJ (off)20V-符合RoHS标准无铅32011yes未说明未说明6.5V21.08mm16.26mm5.3mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FGH75T65SHDTL4 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-4 | IGBT Transistors FS3 TIGBT Excellent switching performan | 对比 |
 | FGH50T65UPD | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 650 V 100 A 240 W | 对比 |
| NGTB60N60SWG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | ON SEMICONDUCTOR NGTB60N60SWGIGBT Single Transistor, 120 A, 2 V, 298 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
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