STMicroelectronics STGW60H65DF

生命周期状态

NRND (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

32 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

质量

6.500007g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

650V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.1V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 60A, 10 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

165 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

360W

基本部件号

STGW60

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

输入类型

Standard

接通延迟时间

67 ns

功率 - 最大

360W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

350V

最大集电极电流

120A

反向恢复时间

62 ns

接通时间

113 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 15V, 60A

关断时间-标准值（toff)

247 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

206nC

集极脉冲电流（Icm）

240A

Td（开/关）@25°C

67ns/165ns

开关能量

1.5mJ (on), 1.1mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅