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首页 全部分类 STGWA40N120KD vs IRG8P50N120KD-EPBF

STGWA40N120KD备选型号: IRG8P50N120KD-EPBF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 已出版
  • Reach合规守则
  • 元素配置
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STGWA40N120KD
    STMicroelectronics
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 80A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    NRND (Last Updated: 8 months ago)
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~125°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    240W
    SINGLE
    未说明
    未说明
    STGWA40
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    Standard
    240W
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    3.85V
    80A
    84 ns
    1200V
    1.2kV
    83 ns
    3.85V @ 15V, 30A
    564 ns
    126nC
    120A
    48ns/338ns
    3.7mJ (on), 5.7mJ (off)
    25V
    6.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG8P50N120KD-EPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 80A 305W TO-247AD
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    1.2kV
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    350W
    -
    -
    -
    -
    -
    Standard
    -
    -
    -
    2V
    50A
    170 ns
    1200V
    -
    -
    2V @ 15V, 35A
    -
    315nC
    105A
    35ns/190ns
    2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
    -
    -
    符合RoHS标准
    6.500007g
    1.7V
    2014
    unknown
    Single
    无铅
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