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首页 全部分类 STGWT20V60DF vs STGW20V60F

STGWT20V60DF备选型号: STGW20V60F

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  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 输入类型
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • 晶体管应用
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • STMicroelectronics
    STGWT20V60DF
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 40A 167W TO3P-3
    32 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    600V
    2.3V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    167W
    STGWT20
    Single
    167W
    Standard
    N-CHANNEL
    600V
    40A
    40ns
    2.2V @ 15V, 20A
    沟渠现场停车
    116nC
    80A
    38ns/149ns
    200μJ (on), 130μJ (off)
    20V
    26.7mm
    15.7mm
    5.7mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW20V60F
    STMicroelectronics
    IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    600V
    2.3V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    167W
    STGW20
    Single
    167W
    Standard
    N-CHANNEL
    600V
    40A
    -
    2.2V @ 15V, 20A
    沟渠现场停车
    116nC
    80A
    38ns/149ns
    200μJ (on), 130μJ (off)
    -
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    SILICON
    e3
    3
    Matte Tin (Sn)
    3
    电源控制
    49 ns
    173 ns
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