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首页 全部分类 STGWT30V60DF vs IXGP30N60C3D4

STGWT30V60DF备选型号: IXGP30N60C3D4

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  • 端子位置
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
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  • 配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
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  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STGWT30V60DF
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 60A 258W TO3P-3
    32 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    600V
    2.35V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    258W
    STGWT30
    Single
    258W
    Standard
    600V
    60A
    53 ns
    2.3V @ 15V, 30A
    沟渠现场停车
    163nC
    120A
    45ns/189ns
    383μJ (on), 233μJ (off)
    26.7mm
    15.7mm
    5.7mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXGP30N60C3D4
    IXYS
    IGBT 600V 60A 220W TO220AB
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    600V
    2.6V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    220W
    IXG*30N60
    -
    220W
    Standard
    3V
    60A
    60 ns
    3V @ 15V, 20A
    PT
    38nC
    150A
    16ns/42ns
    270μJ (on), 90μJ (off)
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    2.299997g
    SILICON
    GenX3™
    2011
    e1
    yes
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    COLLECTOR
    电源控制
    N-CHANNEL
    TO-220AB
    45 ns
    160 ns
    20V
    5.5V
    无铅
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