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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥25.649517
10
¥24.197656
100
¥22.827981
500
¥21.535829
1000
¥20.316822
STMicroelectronics STGWT30V60DF
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- 对比
STGWT30V60DF
2381-STGWT30V60DF
晶体管 - IGBT - 单个
TO-3P-3, SC-65-3
大陆
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IGBT 600V 60A 258W TO3P-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STGWT30V60DF详情
STMicroelectronics STGWT30V60DF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
32 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.35V
Test Conditions
400V, 30A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
258W
基本部件号
STGWT30
元素配置
Single
功率耗散
258W
输入类型
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
60A
反向恢复时间
53 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.3V @ 15V, 30A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
163nC
集极脉冲电流(Icm)
120A
Td(开/关)@25°C
45ns/189ns
开关能量
383μJ (on), 233μJ (off)
高度
26.7mm
长度
15.7mm
宽度
5.7mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STGWT30V60DF拓展信息
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