STGWT60H65FB备选型号: STGWT40H65DFB
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 极性/通道类型
- 反向恢复时间
- 栅极-发射极电压-最大值
- IGBT 650V 80A 375W TO3P-3LACTIVE (Last Updated: 8 months ago)32 Weeks通孔通孔TO-3P-3, SC-65-336.756003g650V1.6V-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99375WSTGWT60SingleStandard375W650V80A2.3V @ 15V, 60A沟渠现场停车306nC240A51ns/160ns1.09mJ (on), 626μJ (off)20.1mm15.8mm5mm无ROHS3 Compliant无铅---
- IGBT 650V 80A 283W TO3P-3LACTIVE (Last Updated: 7 months ago)32 Weeks通孔通孔TO-3P-3, SC-65-336.756003g650V1.6V-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99283WSTGWT40SingleStandard283W650V80A2V @ 15V, 40A沟渠现场停车210nC160A40ns/142ns498μJ (on), 363μJ (off)20.1mm15.8mm5mm无ROHS3 Compliant无铅N-CHANNEL62 ns20V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGW60H65DFB | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 650V 80A 375W TO-247 | 对比 |
![]() | STGWT40H65DFB | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L | 对比 |
![]() | STGWT40H65FB | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L | 对比 |



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