STMicroelectronics STGWT40H65FB
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STGWT40H65FB
2381-STGWT40H65FB
晶体管 - IGBT - 单个
TO-3P-3, SC-65-3
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IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
--最小包装量--
STGWT40H65FB详情
STMicroelectronics STGWT40H65FB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
NRND (Last Updated: 8 months ago)
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
引脚数
3
质量
6.756003g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
650V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6V
Test Conditions
400V, 40A, 5 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
283W
基本部件号
STGWT40
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
283W
集电极发射器电压(VCEO)
650V
最大集电极电流
80A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.3V @ 15V, 40A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
210nC
集极脉冲电流(Icm)
160A
Td(开/关)@25°C
40ns/142ns
开关能量
498mJ (on), 363mJ (off)
高度
20.1mm
长度
15.8mm
宽度
5mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGWT40H65FB拓展信息
STMicroelectronics
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