我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
STH140N8F7-2备选型号: IPB031NE7N3GATMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-215 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB33.949996g90A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)DeepGATE™, STripFET™ VII活跃1 (Unlimited)EAR99STH1401Single26 nsN-Channel4m Ω @ 45A, 10V4.5V @ 250μA6340pF @ 40V96nC @ 10V51ns±20V44 ns90A20V80V4.8mm10.4mm15.8mm无ROHS3 Compliant无铅-----------------------
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2 Tab) TO-26313 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB--100A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™活跃1 (Unlimited)EAR99---16 nsN-Channel3.1m Ω @ 100A, 10V3.8V @ 155μA8130pF @ 37.5V117nC @ 10V85ns±20V10 ns100A20V-----ROHS3 Compliant-SILICON2008e3no2Tin (Sn)SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明4R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET214WDRAINSWITCHING75V400A75V640 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB86366-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 80V 110A TO263 | 对比 |
| IPB031NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| STH150N10F7-2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET POWER MOSFET | 对比 |
哦! 它是空的。