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STH150N10F7-2备选型号: IPB031N08N5ATMA1
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- 晶体管应用
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MOSFET POWER MOSFETACTIVE (Last Updated: 7 months ago)37 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB33.949996g110A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)DeepGATE™, STripFET™ VII活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明STH1501Single33 nsN-Channel3.9m Ω @ 55A, 10V4.5V @ 250μA8115pF @ 50V117nC @ 10V57ns±20V33 ns110A20V100V4.8mm10.4mm10.57mmROHS3 Compliant无铅-----------
MOSFET N-CH 80V TO263-3-13 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB33.949996g120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明-1Single18 nsN-Channel3.1m Ω @ 100A, 10V3.8V @ 108μA6240pF @ 40V87nC @ 10V18ns±20V12 ns120A20V----ROHS3 Compliant含铅SILICON20132鸥翼R-PSSO-G2增强型MOSFETDRAINSWITCHING无卤素80V480A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB3632 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | ON SEMICONDUCTOR - FDB3632 - Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-263AB, Surface Mount | 对比 |
| IPB031N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 80V TO263-3 | 对比 |
| IRFS3207ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | 对比 |
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