STH150N10F7-2备选型号: IRFS3207ZPBF

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  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 终端
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    MOSFET POWER MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    37 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    3.949996g
    110A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STH150
    1
    Single
    33 ns
    N-Channel
    3.9m Ω @ 55A, 10V
    4.5V @ 250μA
    8115pF @ 50V
    117nC @ 10V
    57ns
    ±20V
    33 ns
    110A
    20V
    100V
    4.8mm
    10.4mm
    10.57mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    20 ns
    N-Channel
    4.1m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 150μA
    6920pF @ 50V
    170nC @ 10V
    68ns
    ±20V
    -
    170A
    20V
    75V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2008
    SMD/SMT
    4.1MOhm
    75V
    170A
    300W
    4V
    75V
    54 ns
    4 V
    无SVHC
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