STH150N10F7-2备选型号: IRFS3207ZPBF
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
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- 功率耗散
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- MOSFET POWER MOSFETACTIVE (Last Updated: 7 months ago)37 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB33.949996g110A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)DeepGATE™, STripFET™ VII活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明STH1501Single33 nsN-Channel3.9m Ω @ 55A, 10V4.5V @ 250μA8115pF @ 50V117nC @ 10V57ns±20V33 ns110A20V100V4.8mm10.4mm10.57mmROHS3 Compliant无铅------------
- MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK--表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-120A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®Discontinued1 (Unlimited)EAR99-----20 nsN-Channel4.1m Ω @ 75A, 10V4V @ 150μA6920pF @ 50V170nC @ 10V68ns±20V-170A20V75V2.39mm6.73mm6.22mmROHS3 Compliant无铅2008SMD/SMT4.1MOhm75V170A300W4V75V54 ns4 V无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDB3632 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | ON SEMICONDUCTOR - FDB3632 - Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-263AB, Surface Mount | 对比 |
![]() | IPB031N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 80V TO263-3 | 对比 |
![]() | IRFS3207ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | 对比 |





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