您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 STH240N10F7-2 vs AUIRFS3107TRL

STH240N10F7-2备选型号: AUIRFS3107TRL

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 元素配置
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STH240N10F7-2
    STMicroelectronics
    N-Channel 100 V 2.5 mOhm 300 W STripFET? F7 Power Mosfet-H2PAK-2
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    SILICON
    180A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    超低电阻
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    STH240
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    49 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.5m Ω @ 60A, 10V
    4.5V @ 250μA
    11550pF @ 25V
    160nC @ 10V
    ±20V
    180A
    4.5V
    20V
    0.0025Ohm
    100V
    720A
    500 mJ
    175°C
    4.7mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRFS3107TRL
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 230A D2PAK
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    SILICON
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    -
    鸥翼
    260
    30
    -
    R-PSSO-G2
    -
    -
    增强型MOSFET
    370W
    DRAIN
    19 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3m Ω @ 140A, 10V
    4V @ 250μA
    9370pF @ 50V
    240nC @ 10V
    ±20V
    195A
    -
    20V
    -
    75V
    900A
    -
    -
    4.83mm
    ROHS3 Compliant
    -
    Tin
    3
    2011
    e3
    Single
    110ns
    100 ns
    10.67mm
    9.65mm
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
AUIRFS3107TRL AUIRFS3107TRL Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 75V 230A D2PAK 对比
IRF100S201 IRF100S201 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK 对比
STH315N10F7-2 STH315N10F7-2 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET, N CH, 100V, 180A, H2PAK-3 对比