STH240N10F7-2备选型号: IRF100S201
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 已出版
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- N-Channel 100 V 2.5 mOhm 300 W STripFET? F7 Power Mosfet-H2PAK-213 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON180A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™活跃1 (Unlimited)2EAR99超低电阻SINGLE鸥翼未说明未说明STH240R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET300WDRAIN49 nsN-ChannelSWITCHING2.5m Ω @ 60A, 10V4.5V @ 250μA11550pF @ 25V160nC @ 10V±20V180A4.5V20V0.0025Ohm100V720A500 mJ175°C4.7mmROHS3 Compliant无铅--------
- MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-192A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®, StrongIRFET™活跃1 (Unlimited)---------------N-Channel-4.2mOhm @ 115A, 10V4V @ 250μA9500pF @ 50V255nC @ 10V±20V192A--------ROHS3 Compliant无铅D2PAK (TO-263AB)2013175°C-55°C100V9.5nF3.5mOhm4.2 mΩ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRFS3107TRL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 230A D2PAK | 对比 |
![]() | IRF100S201 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK | 对比 |
![]() | STH315N10F7-2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET, N CH, 100V, 180A, H2PAK-3 | 对比 |




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