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STL100N6LF6备选型号: IRFS3306TRLPBF
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- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 系列
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 无铅
- 工厂交货时间
- 供应商器件包装
- 已出版
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X68-PowerVDFN表面贴装表面贴装8SILICON4.8W TcDeepGATE™, STripFET™ VITape & Reel (TR)-55°C~175°C TJObsolete1 (Unlimited)5EAR99DUALSTL1008R-PDSO-N5Single增强型MOSFET80WDRAINN-ChannelSWITCHING4.5m Ω @ 11A, 10V2.5V @ 250μA8900pF @ 25V130nC @ 10V±20V100A20V22A0.0072Ohm60VROHS3 Compliant无无铅------------------
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装3-120A TcHEXFET®Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)------Single-230W-N-Channel-4.2mOhm @ 75A, 10V4V @ 150μA4520pF @ 50V120nC @ 10V±20V120A20V--60VROHS3 Compliant无无铅12 WeeksD2PAK2005175°C-55°C15 ns46ns60V77 ns4V4.52nF4.2mOhm4.2 mΩ4 V4.826mm10.668mm9.65mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | 对比 |
| AUIRFS3306TRL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 160A D2PAK | 对比 |
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