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首页 全部分类 STL120N8F7 vs BSC040N08NS5ATMA1

STL120N8F7备选型号: BSC040N08NS5ATMA1

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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • STMicroelectronics
    STL120N8F7
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 80V 120A
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    STripFET™ F7
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STL120
    N-Channel
    4.4m Ω @ 11.5A, 10V
    4V @ 250μA
    4570pF @ 25V
    60nC @ 10V
    80V
    ±20V
    120A
    Non-RoHS Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC040N08NS5ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    -
    N-Channel
    4m Ω @ 50A, 10V
    3.8V @ 67μA
    3900pF @ 40V
    54nC @ 10V
    -
    ±20V
    100A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    26 Weeks
    506.605978mg
    SILICON
    2013
    e3
    yes
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    not_compliant
    R-PDSO-F5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    104W
    DRAIN
    14 ns
    SWITCHING
    无卤素
    8ns
    6 ns
    3V
    20V
    80V
    0.004Ohm
    80V
    400A
    150°C
    1.1mm
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