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首页 全部分类 STL120N8F7 vs IPB140N08S404ATMA1

STL120N8F7备选型号: IPB140N08S404ATMA1

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  • 终端形式
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STL120N8F7
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 80V 120A
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    STripFET™ F7
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STL120
    N-Channel
    4.4m Ω @ 11.5A, 10V
    4V @ 250μA
    4570pF @ 25V
    60nC @ 10V
    80V
    ±20V
    120A
    Non-RoHS Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPB140N08S404ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 80V 140A 7-Pin TO-263 T/R
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    140A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    -
    N-Channel
    4.2m Ω @ 100A, 10V
    4V @ 100μA
    5500pF @ 25V
    80nC @ 10V
    -
    ±20V
    140A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    14 Weeks
    SILICON
    2013
    yes
    6
    SINGLE
    鸥翼
    not_compliant
    R-PSSO-G6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    18 ns
    无卤素
    10ns
    35 ns
    20V
    80V
    0.0042Ohm
    560A
    212 mJ
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