STL130N8F7备选型号: BSC026N08NS5ATMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 质量
- 已出版
- 无铅代码
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级(Eas)
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- Trans MOSFET N-CH 80V 130A 8-Pin Power Flat T/RACTIVE (Last Updated: 8 months ago)表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON130A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)DeepGATE™, STripFET™ VIIe3活跃1 (Unlimited)5EAR993.6mOhmMatte Tin (Sn) - annealed超低电阻DUALFLAT260STL130R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE2增强型MOSFET5WDRAINN-ChannelSWITCHING3.6m Ω @ 13A, 10V4.5V @ 250μA6340pF @ 40V96nC @ 10V±20V123A20V80V560A无ROHS3 Compliant无铅------------------
- MOSFET N-CH 80V 23A 8TDSON-表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON23A Ta 100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™e3活跃1 (Unlimited)5EAR99-Tin (Sn)-DUALFLAT未说明-R-PDSO-F5-1增强型MOSFET156WDRAINN-ChannelSWITCHING2.6m Ω @ 50A, 10V3.8V @ 115μA6800pF @ 40V92nC @ 10V±20V100A20V80V400A-ROHS3 Compliant含铅26 Weeks506.605978mg2013yesnot_compliant未说明Single18 ns无卤素14ns16 ns3V80V23A0.0026Ohm370 mJ150°C1.1mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPB140N08S404ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | Trans MOSFET N-CH 80V 140A 7-Pin TO-263 T/R | 对比 |
![]() | BSC030N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON | 对比 |
![]() | BSC026N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 80V 23A 8TDSON | 对比 |





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