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首页 全部分类 STL130N8F7 vs IPB140N08S404ATMA1

STL130N8F7备选型号: IPB140N08S404ATMA1

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  • 辐射硬化
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  • 无铅
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  • 已出版
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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
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  • 下降时间（典型值）
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STL130N8F7
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 80V 130A 8-Pin Power Flat T/R
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    130A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    3.6mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    超低电阻
    DUAL
    FLAT
    260
    STL130
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    2
    增强型MOSFET
    5W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.6m Ω @ 13A, 10V
    4.5V @ 250μA
    6340pF @ 40V
    96nC @ 10V
    ±20V
    123A
    20V
    80V
    560A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPB140N08S404ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 80V 140A 7-Pin TO-263 T/R
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    SILICON
    140A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    -
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    -
    R-PSSO-G6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    N-Channel
    -
    4.2m Ω @ 100A, 10V
    4V @ 100μA
    5500pF @ 25V
    80nC @ 10V
    ±20V
    140A
    20V
    -
    560A
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    14 Weeks
    2013
    yes
    not_compliant
    未说明
    18 ns
    无卤素
    10ns
    35 ns
    80V
    0.0042Ohm
    212 mJ
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