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首页 全部分类 STL150N3LLH6 vs IRFH8311TRPBF

STL150N3LLH6备选型号: IRFH8311TRPBF

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  • ECCN 代码
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  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • STMicroelectronics
    STL150N3LLH6
    STMicroelectronics
    MOSFET NCH 30V 150A POWERFLAT5X6
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    150A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    2.4mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    DUAL
    260
    30
    STL150
    8
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    80W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.4m Ω @ 16.5A, 10V
    1V @ 250μA
    4040pF @ 25V
    40nC @ 4.5V
    18ns
    ±20V
    46 ns
    150A
    20V
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8311TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-TQFN Exposed Pad
    8
    -
    32A Ta 169A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    3.6W
    -
    21 ns
    N-Channel
    -
    2.1m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 100μA
    4960pF @ 10V
    66nC @ 10V
    26ns
    ±20V
    12 ns
    32A
    20V
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2007
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