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首页 全部分类 STL150N3LLH6 vs NVMFS4C03NT1G

STL150N3LLH6备选型号: NVMFS4C03NT1G

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  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 已出版
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  • 终端形式
  • Reach合规守则
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STL150N3LLH6
    STMicroelectronics
    MOSFET NCH 30V 150A POWERFLAT5X6
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    150A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    2.4mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    DUAL
    260
    30
    STL150
    8
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    80W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.4m Ω @ 16.5A, 10V
    1V @ 250μA
    4040pF @ 25V
    40nC @ 4.5V
    18ns
    ±20V
    46 ns
    150A
    20V
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVMFS4C03NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    31.4A Ta 143A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    -
    -
    Tin (Sn)
    DUAL
    -
    -
    -
    -
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    -
    2.1m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    3071pF @ 15V
    45.2nC @ 10V
    32ns
    ±20V
    17 ns
    143A
    20V
    30V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2014
    yes
    FLAT
    not_compliant
    1
    0.0024Ohm
    900A
    549 mJ
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