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STL15DN4F5备选型号: AUIRFR3504Z
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 已出版
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- Vgs（最大值）
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin Power Flat T/RACTIVE (Last Updated: 8 months ago)14 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN5SILICON2-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, STripFET™ Ve3活跃1 (Unlimited)6EAR999MOhmMatte Tin (Sn)ULTRA LOW-ON RESISTANCE60WFLAT260STL158R-PDSO-F6Dual增强型MOSFET60WDRAIN18 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING9m Ω @ 7.5A, 10V4V @ 250μA1550pF @ 25V25nC @ 10V45ns40V5 ns60A2V20V40VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门850μm4.75mm5.75mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK-39 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-632SILICON42A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®e3Discontinued1 (Unlimited)2EAR99--AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY-鸥翼260---Single增强型MOSFET90WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING9m Ω @ 42A, 10V4V @ 250μA1510pF @ 25V45nC @ 10V74ns-38 ns42A2V20V40V--2.3876mm6.7056mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant-Tin201030±20V0.009Ohm77 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB8447L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 15A D2PAK | 对比 |
| AUIRFR3504Z | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 40V 42A DPAK | 对比 |
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