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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥15.328355
10
¥14.460712
100
¥13.642181
500
¥12.869983
1000
¥12.141493
STMicroelectronics STL15DN4F5
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- 对比
STL15DN4F5
2381-STL15DN4F5
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerVDFN
大陆
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Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin Power Flat T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STL15DN4F5详情
STMicroelectronics STL15DN4F5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
14 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
5
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
32 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
9MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
ULTRA LOW-ON RESISTANCE
最大功率耗散
60W
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
基本部件号
STL15
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-F6
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
60W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
18 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9m Ω @ 7.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1550pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25nC @ 10V
上升时间
45ns
漏源电压 (Vdss)
40V
下降时间(典型值)
5 ns
连续放电电流(ID)
60A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
高度
850μm
长度
4.75mm
宽度
5.75mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STL15DN4F5拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
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STMicroelectronics
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