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STL36N55M5备选型号: IPL65R099C7AUMA1
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
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- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
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- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
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- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh VACTIVE (Last Updated: 8 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN422.5A Tc150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ V活跃3 (168 Hours)EAR9990mOhmSTL36Single150W56 nsN-Channel90m Ω @ 16.5A, 10V5V @ 250μA2670pF @ 100V62nC @ 10V13ns±25V13 ns22.5A25V550V950μm8mm8mm无ROHS3 Compliant无铅--------------------
MOSFET N-CH 4VSON-18 Weeks表面贴装表面贴装4-PowerTSFN421A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ C7活跃2A (4 Weeks)EAR99----11 nsN-Channel99m Ω @ 5.9A, 10V4V @ 590μA2140pF @ 400V45nC @ 10V5ns±20V12 ns21A20V-----ROHS3 Compliant含铅SILICON2013e3yes4Tin (Sn)SINGLE无铅未说明not_compliant未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING无卤素650V0.099Ohm100A118 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB34N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK | 对比 |
| STB36NM60ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK | 对比 |
 | STB30NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK | 对比 |
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