您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 STL40DN3LLH5 vs FDMS8025S

STL40DN3LLH5备选型号: FDMS8025S

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • Vgs（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STL40DN3LLH5
    STMicroelectronics
    MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT56
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    5
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ V
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    18MOhm
    60W
    FLAT
    STL40
    8
    R-PDSO-F6
    Dual
    增强型MOSFET
    60W
    DRAIN
    4 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    18m Ω @ 5.5A, 10V
    1.5V @ 250μA
    475pF @ 25V
    4.5nC @ 4.5V
    22ns
    30V
    2.8 ns
    40A
    1.5V
    22V
    11A
    30V
    44A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    850μm
    4.75mm
    5.75mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS8025S
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V POWER56
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    24A Ta 49A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®, SyncFET™
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    2.8MOhm
    -
    FLAT
    -
    -
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    50W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.8m Ω @ 24A, 10V
    3V @ 1mA
    3000pF @ 15V
    47nC @ 10V
    4.5ns
    -
    3.7 ns
    49A
    1.7V
    20V
    24A
    30V
    100A
    -
    -
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    68.1mg
    2010
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    DUAL
    ±20V
    MO-240AA
    66 mJ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDMS8023S FDMS8023S ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET 对比
FDMS7670AS FDMS7670AS ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET 对比
FDMS8025S FDMS8025S ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V POWER56 对比