STMicroelectronics STL40DN3LLH5
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STL40DN3LLH5
2381-STL40DN3LLH5
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerVDFN
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MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT56
--最小包装量--
STL40DN3LLH5详情
STMicroelectronics STL40DN3LLH5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
14 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
5
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
13 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ V
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
18MOhm
最大功率耗散
60W
终端形式
FLAT
基本部件号
STL40
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-F6
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
60W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
4 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
18m Ω @ 5.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
475pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.5nC @ 4.5V
上升时间
22ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间(典型值)
2.8 ns
连续放电电流(ID)
40A
阈值电压
1.5V
栅极至源极电压(Vgs)
22V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
11A
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
44A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
高度
850μm
长度
4.75mm
宽度
5.75mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STL40DN3LLH5拓展信息
STMicroelectronics
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