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STL52N25M5备选型号: IRF6641TRPBF
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- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 已出版
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 额定电流
- 配置
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
Trans MOSFET N-CH 250V 28A 8-Pin Power Flat T/R表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON28A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ VyesObsolete1 (Unlimited)5EAR9965mOhmULTRA LOW-ON RESISTANCEFLATSTL528R-PDSO-F5Dual增强型MOSFET110WDRAIN40 nsN-ChannelSWITCHING65m Ω @ 14A, 10V5V @ 100μA1770pF @ 50V47nC @ 10V18ns±25V82 ns28A25V4.2A250V230 mJ无ROHS3 Compliant无铅------------
MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric MZ5SILICON4.6A Ta 26A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®-活跃1 (Unlimited)3EAR9951mOhm----R-XBCC-N3-增强型MOSFET89WDRAIN16 nsN-ChannelSWITCHING59.9m Ω @ 5.5A, 10V4.9V @ 150μA2290pF @ 25V48nC @ 10V11ns±20V6.5 ns3.7A20V26A200V46 mJ无ROHS3 Compliant无铅12 Weeks2007e1Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)200VBOTTOM4.6ASINGLE WITH BUILT-IN DIODE37A506μm6.35mm5.05mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF6641TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric MZ | MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET | 对比 |
 | STB30NF20L | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 200V 30A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
 | STB30NF20 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK | 对比 |
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