STMicroelectronics STL52N25M5
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STL52N25M5
2381-STL52N25M5
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
大陆
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Trans MOSFET N-CH 250V 28A 8-Pin Power Flat T/R
1最小包装量--
STL52N25M5详情
STMicroelectronics STL52N25M5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
28A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta 110W Tc
Turn Off Delay Time
64 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
MDmesh™ V
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
65mOhm
附加功能
ULTRA LOW-ON RESISTANCE
终端形式
FLAT
基本部件号
STL52
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-F5
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
110W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
40 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
65m Ω @ 14A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1770pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
47nC @ 10V
上升时间
18ns
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
82 ns
连续放电电流(ID)
28A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4.2A
漏源击穿电压
250V
雪崩能量等级(Eas)
230 mJ
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STL52N25M5拓展信息
STMicroelectronics
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