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首页 全部分类 STL60P4LLF6 vs NVDD5894NLT4G

STL60P4LLF6备选型号: NVDD5894NLT4G

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  • 生命周期状态
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  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STL60P4LLF6
    STMicroelectronics
    MOSFET P-CH 40V 60A 8POWERFLAT
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    60A Tc
    175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    STripFET™ F6
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    STL60
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    49.4 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    14m Ω @ 6.5A, 10V
    1V @ 250μA (Min)
    3525pF @ 25V
    34nC @ 4.5V
    40V
    ±20V
    60A
    20V
    0.019Ohm
    240A
    40V
    950μm
    6.35mm
    5.4mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVDD5894NLT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET DPAK 40V 64A 10 MOHM
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
    5
    -
    14A
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    12.4 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    -
    10m Ω @ 50A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2103pF @ 25V
    41nC @ 10V
    -
    -
    64A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    LIFETIME (Last Updated: 11 hours ago)
    329.988449mg
    2013
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    3.8W
    not_compliant
    30.2ns
    54 ns
    40V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    无铅
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