STMicroelectronics STL60P4LLF6

工厂交货时间

20 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

60A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

100W Tc

Turn Off Delay Time

170 ns

操作温度

175°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

STripFET™ F6

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STL60

JESD-30代码

R-PDSO-F5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

49.4 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

14m Ω @ 6.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA (Min)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3525pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

34nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

60A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.019Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240A

DS 击穿电压-最小值

40V

高度

950μm

长度

6.35mm

宽度

5.4mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant