STL80N75F6备选型号: SMP3003-TL-1E

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子位置
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间(典型值)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 75V 0.0051 Ohm 18A STripFET VI
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    6.3MOhm
    DUAL
    STL80
    8
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    80W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    6.3m Ω @ 9A, 10V
    4V @ 250μA
    7120pF @ 25V
    100nC @ 10V
    ±20V
    80A
    20V
    75V
    74A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 75V 100A SMP-FD
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    2
    SILICON
    100A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    SINGLE
    -
    2
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    90W
    DRAIN
    P-Channel
    -
    8m Ω @ 50A, 10V
    -
    13400pF @ 20V
    280nC @ 10V
    ±20V
    100A
    20V
    -
    400A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    11 Weeks
    1.946308g
    2002
    e6
    yes
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    鸥翼
    1
    95 ns
    1μs
    75V
    820 ns
    75V
    468 mJ
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