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首页 全部分类 STL8DN10LF3 vs IRF6645TRPBF

STL8DN10LF3备选型号: IRF6645TRPBF

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 已出版
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  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 配置
  • Vgs（最大值）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • STMicroelectronics
    STL8DN10LF3
    STMicroelectronics
    MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    雪崩 额定
    70W
    FLAT
    STL8
    R-PDSO-F6
    Dual
    增强型MOSFET
    70W
    DRAIN
    8.7 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    35m Ω @ 4A, 10V
    3V @ 250μA
    970pF @ 25V
    20.5nC @ 10V
    9.6ns
    100V
    5.2 ns
    20A
    20V
    0.05Ohm
    100V
    31.2A
    190 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6645TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SJ
    7
    SILICON
    5.7A Ta 25A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    R-XBCC-N3
    -
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    9.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 5.7A, 10V
    4.9V @ 50μA
    890pF @ 25V
    20nC @ 10V
    5ns
    -
    5.1 ns
    5.7mA
    20V
    0.035Ohm
    100V
    45A
    29 mJ
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    2008
    e1
    100V
    BOTTOM
    5.7A
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    ±20V
    410μm
    3.95mm
    3.95mm
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