STMicroelectronics STL8DN10LF3

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

50.6 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

70W

终端形式

FLAT

基本部件号

STL8

JESD-30代码

R-PDSO-F6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

70W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8.7 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

35m Ω @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

970pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20.5nC @ 10V

上升时间

9.6ns

漏源电压 (Vdss)

100V

下降时间（典型值）

5.2 ns

连续放电电流(ID)

20A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.05Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

31.2A

雪崩能量等级（Eas）

190 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅