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STL8DN10LF3备选型号: STL8N10LF3

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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
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  • 无铅
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  • 通道数量
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  • STMicroelectronics
    STL8DN10LF3
    STMicroelectronics
    MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    雪崩 额定
    70W
    FLAT
    STL8
    R-PDSO-F6
    Dual
    增强型MOSFET
    70W
    DRAIN
    8.7 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    35m Ω @ 4A, 10V
    3V @ 250μA
    970pF @ 25V
    20.5nC @ 10V
    9.6ns
    100V
    5.2 ns
    20A
    20V
    0.05Ohm
    100V
    31.2A
    190 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STL8N10LF3
    STMicroelectronics
    MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    20A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    雪崩 额定
    -
    FLAT
    STL8
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    70W
    DRAIN
    8.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 4A, 10V
    3V @ 250μA
    970pF @ 25V
    20.5nC @ 10V
    9.6ns
    -
    5.2 ns
    20A
    20V
    0.05Ohm
    100V
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    DUAL
    1
    ±20V
    175°C
    1mm
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