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STL8P2UH7备选型号: STS9P2UH7

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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • STMicroelectronics
    STL8P2UH7
    STMicroelectronics
    MOSFET POWER MOSFET
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerWDFN
    6
    8A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STL8
    1
    Single
    2.4W
    12.5 ns
    P-Channel
    22.5m Ω @ 4A, 4.5V
    1V @ 250μA
    2390pF @ 16V
    22nC @ 4.5V
    30.5ns
    ±8V
    84.5 ns
    8A
    8V
    20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STS9P2UH7
    STMicroelectronics
    MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    9A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    STripFET™
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STS9P
    1
    Single
    -
    12.5 ns
    P-Channel
    22.5m Ω @ 4.5A, 4.5V
    1V @ 250μA
    2390pF @ 16V
    22nC @ 4.5V
    30.5ns
    ±8V
    84.5 ns
    9A
    8V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    506.605978mg
    20V
    9A
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