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STL9P2UH7备选型号: STT7P2UH7

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • STMicroelectronics
    STL9P2UH7
    STMicroelectronics
    MOSFET POWER MOSFET
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    9A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    STripFET™
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    19.5mOhm
    未说明
    未说明
    STL9
    12.5 ns
    P-Channel
    22.5m Ω @ 4.5A, 4.5V
    1V @ 250μA
    2390pF @ 16V
    22nC @ 4.5V
    30.5ns
    ±8V
    84.5 ns
    9A
    8V
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STT7P2UH7
    STMicroelectronics
    MOSFET POWER MOSFET
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    -
    7A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    STripFET™
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    19.5mOhm
    未说明
    未说明
    STT7P
    12.5 ns
    P-Channel
    22.5m Ω @ 3.5A, 4.5V
    1V @ 250μA
    2390pF @ 16V
    22nC @ 4.5V
    30.5ns
    ±8V
    84.5 ns
    7A
    8V
    20V
    ROHS3 Compliant
    36.003894mg
    SILICON
    6
    DUAL
    鸥翼
    R-PDSO-G6
    1
    Single
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    7A
    28A
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