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首页 全部分类 STP28N60DM2 vs IPP60R120C7XKSA1

STP28N60DM2备选型号: IPP60R120C7XKSA1

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  • 端子表面处理
  • 端子位置
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  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
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  • STMicroelectronics
    STP28N60DM2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STP28N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    21A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ DM2
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STP28N
    N-Channel
    160m Ω @ 10.5A, 10V
    5V @ 250μA
    1500pF @ 100V
    34nC @ 10V
    600V
    ±25V
    21A
    4V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP60R120C7XKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    -
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    19A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C7
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    未说明
    未说明
    -
    N-Channel
    120m Ω @ 7.8A, 10V
    4V @ 390μA
    1500pF @ 400V
    34nC @ 10V
    -
    ±20V
    19A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    1997
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    TO-220AB
    600V
    0.12Ohm
    66A
    78 mJ
    无铅
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