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首页 全部分类 STP28N60DM2 vs STP20NM60

STP28N60DM2备选型号: STP20NM60

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 阈值电压
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  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STP28N60DM2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STP28N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    21A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ DM2
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STP28N
    N-Channel
    160m Ω @ 10.5A, 10V
    5V @ 250μA
    1500pF @ 100V
    34nC @ 10V
    600V
    ±25V
    21A
    4V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP20NM60
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    20A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    STP20N
    N-Channel
    290m Ω @ 10A, 10V
    5V @ 250μA
    1500pF @ 25V
    54nC @ 10V
    -
    ±30V
    20A
    4V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    Tin
    SILICON
    e3
    3
    290mOhm
    650V
    20A
    3
    Single
    增强型MOSFET
    192W
    25 ns
    SWITCHING
    20ns
    11 ns
    TO-220AB
    30V
    600V
    80A
    650 mJ
    4 V
    无
    无铅
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