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首页 全部分类 STP60NF10 vs IPP045N10N3GXKSA1

STP60NF10备选型号: IPP045N10N3GXKSA1

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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 端子位置
  • 配置
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • STMicroelectronics
    STP60NF10
    STMicroelectronics
    STP60NF10 N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V STripFET II, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    80A Tc
    Tube
    STripFET™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    23mOhm
    Matte Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    100V
    80A
    STP60N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    23m Ω @ 40A, 10V
    4V @ 250μA
    4270pF @ 25V
    104nC @ 10V
    56ns
    ±20V
    23 ns
    40A
    3V
    TO-220AB
    20V
    100V
    485 mJ
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP045N10N3GXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-220
    -
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    100A Tc
    Tube
    OptiMOS™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    3
    -
    增强型MOSFET
    214W
    -
    27 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.5m Ω @ 100A, 10V
    3.5V @ 150μA
    8410pF @ 50V
    117nC @ 10V
    59ns
    ±20V
    14 ns
    100A
    -
    TO-220AB
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    -55°C~175°C TJ
    2008
    yes
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    100V
    0.0045Ohm
    400A
  • 添加型号
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