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首页 全部分类 STP80NF12 vs IPP048N12N3GXKSA1

STP80NF12备选型号: IPP048N12N3GXKSA1

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
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  • RoHS状态
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  • 已出版
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 配置
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • STMicroelectronics
    STP80NF12
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    STripFET™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    18mOhm
    120V
    80A
    STP80N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    40 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    18m Ω @ 40A, 10V
    2V @ 250μA
    4300pF @ 25V
    189nC @ 10V
    145ns
    ±20V
    115 ns
    80A
    2V
    TO-220AB
    20V
    120V
    700 mJ
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP048N12N3GXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-220
    -
    13 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    3
    -
    增强型MOSFET
    300W
    -
    31 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.8m Ω @ 100A, 10V
    4V @ 230μA
    12000pF @ 60V
    182nC @ 10V
    55ns
    ±20V
    19 ns
    100A
    -
    TO-220AB
    20V
    -
    740 mJ
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2008
    yes
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    120V
    0.0048Ohm
    400A
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