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STQ3N45K3-AP备选型号: STQ1NK60ZR-AP
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- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 质量
- 配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
Trans MOSFET N-CH 450V 0.6A 3-Pin TO-92 AmmoNRND (Last Updated: 8 months ago)通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)3SILICON600mA Tc150°C TJTape & Box (TB)SuperMESH3™e3活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)BOTTOMSTQ33Single增强型MOSFET2.5WN-ChannelSWITCHING3.8 Ω @ 500mA, 10V4.5V @ 50μA150pF @ 25V6nC @ 10V±30V600mA3.75V30V0.6A450V2.4A4.95mm4.95mm3.94mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----------- MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)3SILICON300mA Tc-55°C~150°C TJTape & Box (TB)SuperMESH™e3活跃1 (Unlimited)3EAR99-BOTTOMSTQ13-增强型MOSFET3WN-ChannelSWITCHING15 Ω @ 400mA, 10V4.5V @ 50μA94pF @ 25V6.9nC @ 10V±30V400mA3.75V30V---6.35mm31.75mm12.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅8 WeeksTin4.535924gSINGLE WITH BUILT-IN DIODE5.5 ns5ns600V28 ns600V60 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STQ1HNK60R-AP | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 Ammo | 对比 |
 | FQN1N50CTA | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | Trans MOSFET N-CH 500V 0.38A 3-Pin TO-92 Ammo | 对比 |
| STQ1NK60ZR-AP | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92 | 对比 |
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