STMicroelectronics STQ3N45K3-AP

生命周期状态

NRND (Last Updated: 8 months ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

600mA Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W Tc

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

系列

SuperMESH3™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

BOTTOM

基本部件号

STQ3

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.8 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

150pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 10V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

600mA

阈值电压

3.75V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.6A

漏源击穿电压

450V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

2.4A

高度

4.95mm

长度

4.95mm

宽度

3.94mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅